El anuncio de lo que iniciaría el 2017 para Qualcomm venía en octubre, confirmando que el siguiente procesador para móviles sería el Snapdragon 835 y no el 830 como se había rumoreado. Hoy el fabricante aprovecha el CES Las Vegas 2017 para ampliar la información, desvelando todas las características en detalle.
Como ya pudimos saber en aquel momento, el Snapdragon 835 es el primer SoC que se comercializa con transistores FinFET de 10 nanómetros, con lo que quieren conseguir un mayor desempeño y eficiencia. Y ahora ya conocemos los detalles de la estructura y capacidades del nuevo procesador que toma el relevo de los Snapdragon 820 y 821.
Con esta reducción de tamaño de los transistores, el Snapdragon 835 es un 30% más fino que su antecesor el Snapdragon 820. Así, a menor tamaño de los transistores mayor velocidad y ahorro energético, de ahí que se obtengan rendimientos un 27% mayores y se reduzca el consumo un 40% menos que los procesadores con transistores de 14 nanómetros. ¿Qué componentes y funcionamiento permiten tal mejora con respecto a lo anterior? Lo vemos en detalle.
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